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常用公式、参数和设计规范速查手册

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走线宽度计算

IPC-2221公式:
I = k × ΔT^0.44 × (W × H)^0.725
  • 1A @ 10°C温升 0.3mm (外层)
  • 2A @ 10°C温升 0.8mm (外层)
  • 5A @ 10°C温升 2.5mm (外层)
  • 内层电流容量 外层的50%

过孔参数

类型 孔径 外径
标准过孔 0.3-0.5mm 0.5-0.8mm
小过孔 0.2-0.3mm 0.4-0.5mm
盲埋孔 0.1-0.2mm 0.3-0.4mm
过孔电感 (nH):
L = 5.08h × [ln(4h/d) + 1]

安全间距

  • 线间距 (常规) ≥0.15mm
  • 线间距 (高压) ≥0.5mm
  • 线到焊盘 ≥0.2mm
  • 焊盘到焊盘 ≥0.3mm
  • 铜皮到板边 ≥0.5mm
注意: 高压电路(>50V)需要根据工作电压增加安全间距

层叠结构推荐

4层板标准结构:

  • 第1层 信号层 (Top)
  • 第2层 地平面 (GND)
  • 第3层 电源平面 (VCC)
  • 第4层 信号层 (Bottom)

6层板标准结构:

  • L1 信号层
  • L2 地平面
  • L3 信号层
  • L4 电源平面
  • L5 地平面
  • L6 信号层

常用钻孔尺寸

元件 引脚直径 推荐孔径
0805贴片元件 - 不需要
DIP插件IC 0.4-0.6mm 0.8-1.0mm
插针/排针 0.5-0.65mm 1.0-1.2mm
电解电容 0.5-0.8mm 1.0-1.5mm

元件间距规范

  • 贴片元件间距 ≥0.5mm
  • 插件元件间距 ≥2mm
  • IC到IC ≥5mm
  • 元件到板边 ≥3mm
  • 散热器周围 ≥10mm

微带线阻抗

特征阻抗 (Ω):
Z₀ = (87/√(εᵣ+1.41)) × ln(5.98h/(0.8w+t))

常用参数组合 (50Ω):

  • FR-4, H=0.2mm W≈0.36mm
  • FR-4, H=0.1mm W≈0.18mm
  • FR-4, H=0.15mm W≈0.27mm
注: εᵣ(FR-4) ≈ 4.3, H为介质厚度, W为走线宽度

带状线阻抗

特征阻抗 (Ω):
Z₀ = (60/√εᵣ) × ln(4b/(0.67πw))

常用参数组合 (50Ω):

  • FR-4, B=0.4mm W≈0.18mm
  • FR-4, B=0.3mm W≈0.13mm
  • FR-4, B=0.5mm W≈0.23mm

差分对阻抗

差分阻抗:
Z_diff = 2 × Z₀ × (1 - 0.48 × e^(-0.96×S/H))

常用差分阻抗:

  • USB 2.0 90Ω ±10%
  • USB 3.0/3.1 90Ω ±10%
  • HDMI 100Ω ±10%
  • Ethernet 100Ω ±10%
  • LVDS 100Ω ±10%
  • PCIe 85Ω ±15%

阻抗控制指南

何时需要阻抗控制:

  • 时钟频率 >50MHz
  • 上升时间 <2ns
  • 走线长度 >λ/6
经验法则: 如果信号传播时间 > 上升时间/6, 需要考虑传输线效应

LDO选型参数

  • 压差 (Dropout) 通常0.3-1V
  • 输入电容 1-10μF
  • 输出电容 10-47μF
  • PSRR >60dB @1kHz
热设计: P_loss = (V_in - V_out) × I_out
确保结温不超过125°C

Buck转换器设计

占空比: D = V_out / V_in
电感值: L = (V_in-V_out) × D / (ΔI_L × f_sw)
输出电容: C_out = ΔI_L / (8 × f_sw × ΔV_out)
  • 开关频率 100kHz-2MHz
  • 电感纹波 20-40% I_out
  • 输出纹波 <1% V_out

去耦电容配置

标准配置方案:

  • 100nF陶瓷电容 每个电源引脚
  • 10μF陶瓷电容 每个IC
  • 100μF电解电容 电源入口
布局要求:
• 100nF电容距IC引脚<5mm
• 过孔直接连接电源/地层
• 多个电容并联降低ESR

电源走线设计

走线电阻 (mΩ):
R = ρ × L / (W × T)
ρ(铜) = 0.017 Ω·mm²/m
  • 主电源线宽 ≥1mm
  • 高电流路径 多层并联
  • 压降限制 <50mV

上升时间与频率

有效带宽: f_knee = 0.35 / t_rise
上升时间 有效带宽 典型应用
10ns 35MHz 普通数字电路
2ns 175MHz 高速MCU
500ps 700MHz DDR3/4
100ps 3.5GHz 高速串行

端接电阻配置

串联端接:

  • 阻值选择 R_s = Z₀ - Z_driver
  • 位置 紧靠驱动端
  • 典型值 22-33Ω

并联端接:

  • 阻值选择 R_p = Z₀
  • 位置 接收端
  • 典型值 50Ω

串扰控制

3W规则:

线间距 ≥ 3 × 线宽
可将串扰降低至10%以下

平行走线长度限制:

  • 低速信号 无限制
  • 时钟/高速 <1000mil
  • 差分对内部 保持平行

等长匹配要求

接口类型 组内误差 组间误差
DDR3 (1600MHz) ±10mil ±50mil
DDR4 (2400MHz) ±5mil ±25mil
USB 2.0差分对 ±2mil -
HDMI差分对 ±5mil -
PCIe差分对 ±5mil -

电阻色环对照

颜色 数值 倍数 误差
0 ×1 -
1 ×10 ±1%
2 ×100 ±2%
3 ×1K -
4 ×10K -
绿 5 ×100K ±0.5%
6 ×1M ±0.25%
7 ×10M ±0.1%
8 - ±0.05%
9 - -
- ×0.1 ±5%
- ×0.01 ±10%

电容类型选择

类型 容值范围 应用场景
陶瓷(MLCC) 1pF-100μF 去耦、高频
钽电容 0.1μF-1000μF 低ESR电源
电解电容 1μF-10000μF 大容量储能
薄膜电容 1nF-10μF 精密耦合
X7R vs X5R: X7R温度稳定性更好, 适合精密电路

贴片封装尺寸

封装代码 尺寸(mm) 功率/容值
0201 0.6×0.3 1/20W, <10pF
0402 1.0×0.5 1/16W, <100pF
0603 1.6×0.8 1/10W, <1μF
0805 2.0×1.25 1/8W, <10μF
1206 3.2×1.6 1/4W, <47μF
1210 3.2×2.5 1/2W, <100μF

二极管选型

类型 正向压降 应用
普通二极管 0.7V 整流、续流
肖特基二极管 0.3-0.5V 高频、低压
稳压二极管 - 电压基准
TVS二极管 - ESD保护

常用逻辑电平

标准 V_OH V_OL V_IH V_IL
TTL >2.4V <0.4V >2.0V <0.8V
CMOS 3.3V >2.4V <0.4V >2.0V <0.8V
CMOS 5V >4.4V <0.5V >3.5V <1.5V
LVTTL >2.4V <0.4V >2.0V <0.8V
LVCMOS >0.9VDD <0.1VDD >0.7VDD <0.3VDD

通信接口标准

接口 速率 电平/阻抗
UART 9600-115200 bps 3.3V/5V TTL
SPI 最高50Mbps 3.3V CMOS
I²C 100k/400k/3.4M 开漏, 上拉
CAN 125k-1Mbps 差分, 120Ω
RS-485 10Mbps 差分, 120Ω
USB 2.0 480Mbps 差分, 90Ω
Ethernet 10/100/1000M 差分, 100Ω

IPC标准速查

  • IPC-2221 通用PCB设计
  • IPC-2141 受控阻抗
  • IPC-6012 刚性PCB质量
  • IPC-7351 SMT焊盘设计
  • IPC-A-610 电子组件可接受性

EMC设计要点

辐射发射限制:

  • FCC Class A 工业环境
  • FCC Class B 居住环境
  • CE 欧盟标准
设计建议:
• 多层板提供完整地平面
• 高速信号走微带/带状线
• I/O接口增加EMI滤波
• 使用铁氧体磁珠抑制高频噪声

温度等级标准

等级 温度范围 应用
Commercial 0°C to 70°C 消费电子
Industrial -40°C to 85°C 工业设备
Automotive -40°C to 125°C 汽车电子
Military -55°C to 125°C 军工航天

常用文件格式

  • Gerber (RS-274X) PCB制造
  • Excellon 钻孔文件
  • ODB++ 智能数据
  • IPC-2581 通用标准
  • STEP (.stp) 3D模型
  • BOM (.csv/.xlsx) 物料清单